SLVU2.8-8 시리즈는
저전압 CMOS 디바이스를 ESD 및 번개로 인한 과도 전류로부터 보호하도록 설계되었습니다.
A compensating diode
is located in series with each low voltage TVS diode to present a low loading
capacitance to the line being protected.
보상 다이오드는 각 저전압 TVS 다이오드와 직렬로
배치되어 보호되는 라인에 낮은 부하 커패시턴스를 제공한다. These robust structures can safely
absorb repetitive ESD strikes at ±30kV (contact discharge) per the IEC
61000-4-2 standard and can safely dissipate up to 30A (IEC 61000-4-5, t P =8/20μs) with very low clamping voltages.
이러한 견고한
구조는 IEC 61000-4-2 표준에 따라 ± 30kV (접촉 방전)에서 반복적 인 ESD 스트라이크를 안전하게 흡수 할 수 있으며,
매우 낮은 온도에서 30A (IEC 61000-4-5, t P = 8 /
20μs)까지 안전하게 방열 할 수 있습니다.
클램핑 전압.
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